Número de Producto del Fabricante:
BSC037N08NS5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC037N08NS5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventario:
11521 Pcs Nuevos Originales En Stock
13063864
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSC037N08NS5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 72µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC037
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC037N08NS5ATMA1TR
BSC037N08NS5ATMA1CT
SP001294988
BSC037N08NS5ATMA1-ND
BSC037N08NS5ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSZ031NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
BSP320S E6433
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
AUIRFR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
