Número de Producto del Fabricante:
BSC019N02KSGAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC019N02KSGAUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventario:
12798465
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ENVIAR
BSC019N02KSGAUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 350µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC019
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC019N02KSGAUMA1TR
448-BSC019N02KSGAUMA1TR
BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-DG
SP000307376
BSC019N02KSGAUMA1TR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC014NE2LSIATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
18735
NÚMERO DE PIEZA
BSC014NE2LSIATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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