Número de Producto del Fabricante:
BSB165N15NZ3GXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSB165N15NZ3GXUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventario:
12847112
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ENVIAR
BSB165N15NZ3GXUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 110µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja
3-WDSON
Número de producto base
BSB165
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSB165N15NZ3 GTR-DG
SP000617000
BSB165N15NZ3GXUMA1CT
BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G-DG
BSB165N15NZ3 GCT-DG
BSB165N15NZ3 GCT
BSB165N15NZ3GXUMA1TR
BSB165N15NZ3 GDKR
BSB165N15NZ3G
INFINFBSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3 GDKR-DG
2156-BSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3GXUMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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