Número de Producto del Fabricante:
BSB028N06NN3GXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSB028N06NN3GXUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventario:
10013 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839085
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ENVIAR
BSB028N06NN3GXUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Ta), 90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 102µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja
3-WDSON
Número de producto base
BSB028
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSB028N06NN3 GDKR
BSB028N06NN3GXUMA1DKR
BSB028N06NN3G
BSB028N06NN3 GCT-DG
BSB028N06NN3 GCT
SP000605956
BSB028N06NN3 G
BSB028N06NN3 G-DG
BSB028N06NN3GXUMA1CT
BSB028N06NN3 GTR-DG
BSB028N06NN3 GDKR-DG
BSB028N06NN3GXUMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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