Número de Producto del Fabricante:
AUIRLZ24NS
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AUIRLZ24NS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12824328
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ENVIAR
AUIRLZ24NS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001518210
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PHB21N06LT,118
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
978
NÚMERO DE PIEZA
PHB21N06LT,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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