AUIRFSL4010-313TRL
Número de Producto del Fabricante:

AUIRFSL4010-313TRL

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

AUIRFSL4010-313TRL-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventario:

12939227
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AUIRFSL4010-313TRL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9575 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
448-AUIRFSL4010-313TRLTR
SP001516870

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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