Número de Producto del Fabricante:
AIMBG120R080M1XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AIMBG120R080M1XTMA1-DG
Descripción:
SIC_DISCRETE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 30A Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventario:
984 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988940
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ENVIAR
AIMBG120R080M1XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-12
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
AIMBG120
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-AIMBG120R080M1XTMA1DKR
SP005411515
448-AIMBG120R080M1XTMA1CT
448-AIMBG120R080M1XTMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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