Número de Producto del Fabricante:
ICE10N60FP
Product Overview
Fabricante:
IceMOS Technology
Número de pieza:
ICE10N60FP-DG
Descripción:
Superjunction MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
500 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001926
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ENVIAR
ICE10N60FP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
IceMOS Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
330mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
5133-ICE10N60FP
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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