RFL4N15

Número de Producto del Fabricante:

RFL4N15

Product Overview

Fabricante:

Harris Corporation

Número de pieza:

RFL4N15-DG

Descripción:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Descripción Detallada:

N-Channel 150 V 4A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)

Inventario:

1187 Pcs Nuevos Originales En Stock

12938038

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RFL4N15 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

150 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

400mOhm @ 2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 1mA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

850 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

8.33W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-205AF (TO-39)

Paquete / Caja

TO-205AF Metal Can

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

272

Otros nombres

2156-RFL4N15

HARHARRFL4N15

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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