Número de Producto del Fabricante:
RFD3N08L
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
RFD3N08L-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 3A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
1346 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938598
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ENVIAR
RFD3N08L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
951
Otros nombres
2156-RFD3N08L
HARHARRFD3N08L
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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