RF1S45N02L
Número de Producto del Fabricante:

RF1S45N02L

Product Overview

Fabricante:

Harris Corporation

Número de pieza:

RF1S45N02L-DG

Descripción:

45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 45A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

999 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974542
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RF1S45N02L Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 45A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
533
Otros nombres
HARHARRF1S45N02L
2156-RF1S45N02L

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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