Número de Producto del Fabricante:
IRF723
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
IRF723-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 350 V 2.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
79897 Pcs Nuevos Originales En Stock
12931654
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ENVIAR
IRF723 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
350 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
386
Otros nombres
HARHARIRF723
2156-IRF723
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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