GT090N06S

Número de Producto del Fabricante:

GT090N06S

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

GT090N06S-DG

Descripción:

N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 14A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

13004408

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GT090N06S Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Goford Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

14A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

8mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1378 pF @ 30 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.1W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOP

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Otros nombres

3141-GT090N06STR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0000

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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