Número de Producto del Fabricante:
GT042P06T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT042P06T-DG
Descripción:
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 160A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
13004254
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ENVIAR
GT042P06T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9151 pF @ 30 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
280W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
3141-GT042P06TTR
4822-GT042P06T
3141-GT042P06TCT
3141-GT042P06TCT-DG
3141-GT042P06TTR-DG
3141-GT042P06TDKRINACTIVE
3141-GT042P06TDKR-DG
3141-GT042P06TCTINACTIVE
3141-GT042P06TDKR
3141-GT042P06T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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