G65P06D5
Número de Producto del Fabricante:

G65P06D5

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

G65P06D5-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Descripción Detallada:
P-Channel 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)

Inventario:

50000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975144
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G65P06D5 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (4.9x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
4822-G65P06D5TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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