Número de Producto del Fabricante:
G60N10K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G60N10K-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Descripción Detallada:
N-Channel 60A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
12997610
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G60N10K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-G60N10KTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
G58N06K
MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
GT080N08D5
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
GT030N08T
N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.