G5N02L

Número de Producto del Fabricante:

G5N02L

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

G5N02L-DG

Descripción:

N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0

Descripción Detallada:

N-Channel 20 V 5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

3000 Pcs Nuevos Originales En Stock

12997617

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G5N02L Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Goford Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

2.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

18mOhm @ 4.2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

1V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

11 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

780 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-23-3

Paquete / Caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

3141-G5N02LTR

3141-G5N02LCT

3141-G5N02LDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0000

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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