G400P06S
Número de Producto del Fabricante:

G400P06S

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

G400P06S-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Descripción Detallada:
P-Channel 6A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988793
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

G400P06S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
4822-G400P06STR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK16G60W5,RVQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

infineon-technologies

IMT65R072M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

goford-semiconductor

GT060N04T

MOSFET N-CH 40 60A TO-220

comchip-technology

CEH2315-HF

MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP