Número de Producto del Fabricante:
G23N06K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G23N06K-DG
Descripción:
N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
3495 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978223
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ENVIAR
G23N06K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590 pF @ 15 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-G23N06KDKR
4822-G23N06KTR
3141-G23N06KTR
3141-G23N06KCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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