Número de Producto del Fabricante:
G20P10KE
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G20P10KE-DG
Descripción:
P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 20A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
3029 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987504
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ENVIAR
G20P10KE Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
116mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3354 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-G20P10KECT
3141-G20P10KETR
4822-G20P10KETR
3141-G20P10KEDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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