Número de Producto del Fabricante:
G170P06M
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G170P06M-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-263
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
790 Pcs Nuevos Originales En Stock
13239090
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ENVIAR
G170P06M Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6451 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
3141-G170P06MDKR
3141-G170P06MTR
3141-G170P06MCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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