Número de Producto del Fabricante:
G170P03D3
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G170P03D3-DG
Descripción:
P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12994048
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G170P03D3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (3.15x3.05)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-G170P03D3TR
4822-G170P03D3TR
3141-G170P03D3DKR
3141-G170P03D3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IQD063N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100V
DMTH15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
G080P06T
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
