Número de Producto del Fabricante:
G12P10K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G12P10K-DG
Descripción:
P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 12A 57W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
1157 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986509
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ENVIAR
G12P10K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1720 pF @ 50 V
Disipación de potencia (máx.)
57W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-G12P10KTR
3141-G12P10KCT
3141-G12P10KDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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