Número de Producto del Fabricante:
G120N03D32
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G120N03D32-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 28A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventario:
4995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787877
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ENVIAR
G120N03D32 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1089pF @ 15V
Potencia - Máx.
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (3.15x3.05)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-G120N03D32CT
3141-G120N03D32TR
3141-G120N03D32DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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