Número de Producto del Fabricante:
G11S
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G11S-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Descripción Detallada:
P-Channel 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
90000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001224
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ENVIAR
G11S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
4822-G11STR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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