Número de Producto del Fabricante:
G10P03
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G10P03-DG
Descripción:
P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 10A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventario:
4934 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986249
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ENVIAR
G10P03 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1550 pF @ 15 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (3.15x3.05)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-G10P03CT
3141-G10P03DKR
4822-G10P03TR
3141-G10P03TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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