Número de Producto del Fabricante:
G04P10HE
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G04P10HE-DG
Descripción:
P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
9479 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001667
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ENVIAR
G04P10HE Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1647 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-G04P10HETR
4822-G04P10HETR
3141-G04P10HECT
3141-G04P10HEDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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