Número de Producto del Fabricante:
GP2T080A120H
Product Overview
Fabricante:
SemiQ
Número de pieza:
GP2T080A120H-DG
Descripción:
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
93 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987643
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ENVIAR
GP2T080A120H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
SemiQ
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
GP2T080A
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1560-GP2T080A120H
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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