Número de Producto del Fabricante:
G3R12MT12K
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R12MT12K-DG
Descripción:
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
611 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000424
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ENVIAR
G3R12MT12K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
157A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 100A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 50mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
288 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9335 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
567W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
G3R12M
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1242-G3R12MT12K
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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