Número de Producto del Fabricante:
GPI65008DF56
Product Overview
Fabricante:
GaNPower
Número de pieza:
GPI65008DF56-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 8A Surface Mount Die
Inventario:
100 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974002
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GPI65008DF56 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GaNPower
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 3.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.1 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7.5V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
63 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
4025-GPI65008DF56TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJQ5413_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVMFS025P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
FDM6296-G
FDM6296 - TBD_25CH
