Número de Producto del Fabricante:
SSW2N60BTM
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
SSW2N60BTM-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 3.13W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
4632 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938457
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ENVIAR
SSW2N60BTM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
650
Otros nombres
FAIFSCSSW2N60BTM
2156-SSW2N60BTM
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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