HUF75631S3ST
Número de Producto del Fabricante:

HUF75631S3ST

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

HUF75631S3ST-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

321 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947464
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HUF75631S3ST Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1220 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
HUF75631S3ST Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
132
Otros nombres
FAIFSCHUF75631S3ST
2156-HUF75631S3ST

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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