Número de Producto del Fabricante:
FQU9N25TU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQU9N25TU-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
10473 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946867
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ENVIAR
FQU9N25TU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
538
Otros nombres
2156-FQU9N25TU
FAIFSCFQU9N25TU
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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