FQPF9N50YDTU
Número de Producto del Fabricante:

FQPF9N50YDTU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQPF9N50YDTU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventario:

24800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12905726
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FQPF9N50YDTU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
730mOhm @ 2.65A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQPF9N50

Información Adicional

Paquete Estándar
314
Otros nombres
2156-FQPF9N50YDTU-FS
FAIFSCFQPF9N50YDTU

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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