Número de Producto del Fabricante:
FQPF12P10
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQPF12P10-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 8.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
114717 Pcs Nuevos Originales En Stock
12817815
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQPF12P10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
523
Otros nombres
FAIFSCFQPF12P10
2156-FQPF12P10-FS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SCH1337-TL-H
P-CHANNEL MOSFET
FQU8N25TU
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
CPH6429-TL-E
MOSFET N-CH 60V 2A 6CPH
