Número de Producto del Fabricante:
FQP14N30
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQP14N30-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 300 V 14.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
11261 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946600
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQP14N30 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
294
Otros nombres
2156-FQP14N30
FAIFSCFQP14N30
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQN1N60CTA
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6724MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
