FQI50N06TU
Número de Producto del Fabricante:

FQI50N06TU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQI50N06TU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

841 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947029
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FQI50N06TU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1540 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQB50N06TM Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
411
Otros nombres
FAIFSCFQI50N06TU
2156-FQI50N06TU

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FDMS86152

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDPF7N60NZT

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS7698

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

stmicroelectronics

STK30N2LLH5

MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK