Número de Producto del Fabricante:
FQA9N90-F109
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQA9N90-F109-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
398 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947105
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQA9N90-F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
117
Otros nombres
2156-FQA9N90-F109
ONSFSCFQA9N90-F109
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
N0301N-T1-AT
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANS
FDPF10N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
