Número de Producto del Fabricante:
FDS6900S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDS6900S-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 6.9A (Ta), 8.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
296790 Pcs Nuevos Originales En Stock
12935061
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ENVIAR
FDS6900S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11nC @ 5V, 17nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
Potencia - Máx.
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
FDS69
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
523
Otros nombres
FAIFSCFDS6900S
2156-FDS6900S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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