FDP039N08B-F102
Número de Producto del Fabricante:

FDP039N08B-F102

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDP039N08B-F102-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

399 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946533
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FDP039N08B-F102 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9450 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDP039N08B-F102 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
64
Otros nombres
ONSONSFDP039N08B-F102
2156-FDP039N08B-F102ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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