Número de Producto del Fabricante:
FDG315N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDG315N-DG
Descripción:
2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventario:
12849 Pcs Nuevos Originales En Stock
12940183
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ENVIAR
FDG315N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
220 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
FDG315
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,075
Otros nombres
2156-FDG315N
FAIFSCFDG315N
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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