Número de Producto del Fabricante:
FDFMA2P859T
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDFMA2P859T-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Inventario:
14392 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901666
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ENVIAR
FDFMA2P859T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
435 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MicroFET 2x2 Thin
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,110
Otros nombres
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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