Número de Producto del Fabricante:
FDD5N50TM
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDD5N50TM-DG
Descripción:
4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
2984 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947183
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDD5N50TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
640 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
919
Otros nombres
2156-FDD5N50TM
FAIFSCFDD5N50TM
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
NTR3A085PZT1G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6613TRPBF
IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IPP80R1K2P7
IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
