FDD3706
Número de Producto del Fabricante:

FDD3706

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDD3706-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

880 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947375
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FDD3706 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1882 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDD3706 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
500
Otros nombres
FAIFSCFDD3706
2156-FDD3706

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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