Número de Producto del Fabricante:
FDD2612
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDD2612-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
2261 Pcs Nuevos Originales En Stock
12817589
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ENVIAR
FDD2612 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
720mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
234 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
360
Otros nombres
2156-FDD2612-FSTR
FAIFSCFDD2612
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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