Número de Producto del Fabricante:
FCP165N65S3R0
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCP165N65S3R0-DG
Descripción:
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
2115 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977036
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ENVIAR
FCP165N65S3R0 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 440mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
154W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
143
Otros nombres
2156-FCP165N65S3R0
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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