EPC2304
Número de Producto del Fabricante:

EPC2304

Product Overview

Fabricante:

EPC

Número de pieza:

EPC2304-DG

Descripción:

Linear IC's
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 102A (Ta) Surface Mount 7-QFN (3x5)

Inventario:

13239459
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

EPC2304 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
102A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 32A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3195 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
7-QFN (3x5)
Paquete / Caja
7-PowerWQFN

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
917-EPC2304TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Certificación DIGI
Productos relacionados
epc-space

EPC7019DC

GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD

epc-space

EPC7018GSH

GAN FET HEMT 100V 90A 5UB

genesic-semiconductor

G2R1000MT33J-TR

3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS