Número de Producto del Fabricante:
EPC2012
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2012-DG
Descripción:
GANFET N-CH 200V 3A DIE
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3A (Ta) Surface Mount Die
Inventario:
12795186
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
EPC2012 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC
Embalaje
-
Serie
eGaN®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
145 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
EPC20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
917-1017-1
917-1017-6
-917-1017-1
917-1017-2
-917-1017-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
EPC2012C
FABRICANTE
EPC
CANTIDAD DISPONIBLE
15613
NÚMERO DE PIEZA
EPC2012C-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
