DI200N04PQ
Número de Producto del Fabricante:

DI200N04PQ

Product Overview

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Número de pieza:

DI200N04PQ-DG

Descripción:

MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount 8-QFN (5x6)

Inventario:

13005411
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DI200N04PQ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diotec Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5768 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-QFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
2796-DI200N04PQTR
2796-DI200N04PQTR-DG
4878-DI200N04PQCT
4878-DI200N04PQTR
4878-DI200N04PQDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
Vendor Undefined
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMP4026LSS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2

taiwan-semiconductor

TSM70N750CH

700V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

tagore-technology

TP44100SG

GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN