Número de Producto del Fabricante:
ZXMHC6A07N8TC
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMHC6A07N8TC-DG
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SO
Inventario:
28253 Pcs Nuevos Originales En Stock
12885325
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ENVIAR
ZXMHC6A07N8TC Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.39A, 1.28A
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Potencia - Máx.
870mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
ZXMHC6A07
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
ZXMHC6A07N8DIDKR
ZXMHC6A07N8DICT
ZXMHC6A07N8DITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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